+ 7 (499) 110-6245
пн-пт: 8.30 - 17.00
г. Москва, ул. Планетная, д. 29, к. 1, п. 1П
Корзина пуста
0 товар(а) 0,00 р.
Транзисторы выводные и для поверхностного монтажа
Сортировка:
Вид:
Наименование
Фото
Норма упак.
Склад (в пути)
Цена, руб.
Заказать
FZT688BTA SOT-223 12 В / 4 А биполярный (NPN) транзистор
Diodes Inc
Норма упак. - 1 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.39(0)
Цена - 39 812,24 руб./тыс.шт
G8N80F TO-220F 800 В / 8 А биполярный (NPN) транзистор
GS
Норма упак. - 0.05 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.95(0)
Цена - 43 004,92 руб./тыс.шт
GT55N06D5 DFN5X6-8L 60 В / 53 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
GOFORD
Норма упак. - 0.2 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.043(0)
Цена - 28 787,76 руб./тыс.шт
HFP4N60 TO-220 600 В / 4 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
SemiHow
Норма упак. - 0.2 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.46(0)
Цена - 17 868,27 руб./тыс.шт
HFS2N60(2N60) TO-220 600 В / 2 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
HXY
Норма упак. - 0.05 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.494(0)
Цена - 12 831,37 руб./тыс.шт
HGTG30N60A4 TO-247 600 В / 75 А IGBT транзистор
FAIRCHILD
Норма упак. - 0.03 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.635(0)
Цена - 485 306,84 руб./тыс.шт
HGTG40N60A4 TO-247 600 В / 75 А IGBT транзистор
FAIRCHILD
Норма упак. - 0.03 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.185(0)
Цена - 541 304,10 руб./тыс.шт
HXY5N50D TO-252 500 В / 5 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
HXY
Норма упак. - 2.5 тыс.шт
Склад (в пути) - 1.85(0)
Цена - 12 661,65 руб./тыс.шт
HXY7N65D TO-252 (DPAK) 650 В / 7 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
HXY
Норма упак. - 2.5 тыс.шт
Склад (в пути) - 1.35(0)
Цена - 17 237,20 руб./тыс.шт
HXY80N06D TO-252 (DPAK) 60 В / 80 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
HXY
Норма упак. - 2.5 тыс.шт
Склад (в пути) - 1.2(0)
Цена - 18 245,04 руб./тыс.шт
IKA10N60TXKSA1 TO-220F 600 В / 11.7 А IGBT транзистор
INFINEON
Норма упак. - 0.05 тыс.шт
Склад (в пути) - 1.204(0)
Цена - 119 884,64 руб./тыс.шт
IKP40N65H5XKSA1 TO-220 650 В / А IGBT транзистор
Infineon Technologies
Норма упак. - 0.05 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.12(0)
Цена - 454 690,03 руб./тыс.шт
IKW25N120H3FKSA1 TO-247 1200 В / 50 А IGBT транзистор
Infineon Technologies
Норма упак. - 0.03 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.3(0)
Цена - 261 454,29 руб./тыс.шт
IKW40N65ES5XKSA1 TO-247 650 В / 79 А IGBT транзистор
Infineon Technologies
Норма упак. - 0.03 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.18(0)
Цена - 168 167,33 руб./тыс.шт
IKW50N65ES5XKSA1 TO-247 650 В / 80 А IGBT транзистор
Infineon Technologies
Норма упак. - 0.03 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.064(0)
Цена - 472 459,72 руб./тыс.шт
IPB010N06NATMA1 TO-263-7 (D2PA 60 В / 45 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
Infineon Technologies
Норма упак. - 0.03 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.28(0)
Цена - 597 997,75 руб./тыс.шт
IPB107N20N3G TO-263 (D2PAK) 200 В / 88 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
INFINEON
Норма упак. - 0.5 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.412(0)
Цена - 173 762,39 руб./тыс.шт
IPB107N20N3GATMA1 TO-263-3 220 В / 88 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
INFINEON
Норма упак. - 1 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.546(0)
Цена - 398 147,44 руб./тыс.шт
IPD122N10N3GATMA1 TO-247 100 В / 59 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
Infineon Technologies
Норма упак. - 1 тыс.шт
Склад (в пути) - 1.21(0)
Цена - 117 752,89 руб./тыс.шт
IPD70R900P7S DPAK(TO-252) 700 В / 6 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
INFINEON
Норма упак. - 0.1 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.892(0)
Цена - 38 350,05 руб./тыс.шт
Показывать по: 30, 60, 100
^ Наверх