+ 7 (499) 110-6245
пн-пт: 8.30 - 17.00
г. Москва, ул. Планетная, д. 29, к. 1, п. 1П
Корзина пуста
0 товар(а) 0,00 р.
Транзисторы выводные и для поверхностного монтажа
Сортировка:
Вид:
Наименование
Фото
Норма упак.
Склад (в пути)
Цена, руб.
Заказать
FGP20N60UFD TO-220-3 600 В / 20 А IGBT транзистор
ON-Semiconductor
Норма упак. - 0.002 тыс.шт
Склад (в пути) - 6.2(0)
Цена - 137 140,13 руб./тыс.шт
FQP13N50C TO-220 500 В / 13 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
ON-Semiconductor
Норма упак. - 0.05 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.664(0)
Цена - 241 913,10 руб./тыс.шт
FQP50N06 TO-220 60 В / 50 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
JSMSEMI
Норма упак. - 1 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.65(0)
Цена - 30 803,22 руб./тыс.шт
FZT688BTA SOT-223 12 В / 4 А биполярный (NPN) транзистор
Diodes Inc
Норма упак. - 1 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.39(0)
Цена - 39 977,17 руб./тыс.шт
G8N80F TO-220F 800 В / 8 А биполярный (NPN) транзистор
GS
Норма упак. - 0.05 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.95(0)
Цена - 42 515,79 руб./тыс.шт
GT55N06D5 DFN5X6-8L 60 В / 53 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
GOFORD
Норма упак. - 0.2 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.043(0)
Цена - 28 580,90 руб./тыс.шт
H11G1SM SMDIP6 100 В / 0.06 А транзистор
ON-Semiconductor
Норма упак. - 0.01 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.01(0)
Цена - 174 055,01 руб./тыс.шт
HFP4N60 TO-220 600 В / 4 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
SemiHow
Норма упак. - 0.2 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.46(0)
Цена - 18 373,69 руб./тыс.шт
HFS2N60(2N60) TO-220 600 В / 2 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
HXY
Норма упак. - 0.05 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.494(0)
Цена - 12 886,42 руб./тыс.шт
HGTG30N60A4 TO-247 600 В / 75 А IGBT транзистор
FAIRCHILD
Норма упак. - 0.03 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.635(0)
Цена - 487 388,71 руб./тыс.шт
HGTG40N60A4 TO-247 600 В / 75 А IGBT транзистор
FAIRCHILD
Норма упак. - 0.03 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.185(0)
Цена - 543 626,18 руб./тыс.шт
HXY5N50D TO-252 500 В / 5 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
HXY
Норма упак. - 2.5 тыс.шт
Склад (в пути) - 1.9(0)
Цена - 12 782,15 руб./тыс.шт
HXY7N65D TO-252 (DPAK) 650 В / 7 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
HXY
Норма упак. - 2.5 тыс.шт
Склад (в пути) - 1.4(0)
Цена - 17 401,35 руб./тыс.шт
HXY80N06D TO-252 (DPAK) 60 В / 80 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
HXY
Норма упак. - 2.5 тыс.шт
Склад (в пути) - 1.225(0)
Цена - 18 418,79 руб./тыс.шт
IKA10N60TXKSA1 TO-220F 600 В / 11.7 А IGBT транзистор
INFINEON
Норма упак. - 0.05 тыс.шт
Склад (в пути) - 1.209(0)
Цена - 121 026,26 руб./тыс.шт
IKP40N65H5XKSA1 TO-220 650 В / А IGBT транзистор
Infineon Technologies
Норма упак. - 0.05 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.12(0)
Цена - 459 019,27 руб./тыс.шт
IKW25N120H3FKSA1 TO-247 1200 В / 50 А IGBT транзистор
Infineon Technologies
Норма упак. - 0.03 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.615(0)
Цена - 263 944,18 руб./тыс.шт
IKW40N65ES5XKSA1 TO-247 650 В / 79 А IGBT транзистор
Infineon Technologies
Норма упак. - 0.03 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.23(0)
Цена - 169 768,53 руб./тыс.шт
IKW50N65ES5XKSA1 TO-247 650 В / 80 А IGBT транзистор
Infineon Technologies
Норма упак. - 0.03 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.064(0)
Цена - 476 958,33 руб./тыс.шт
IPB010N06NATMA1 TO-263-7 (D2PA 60 В / 45 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
Infineon Technologies
Норма упак. - 0.03 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.28(0)
Цена - 603 691,51 руб./тыс.шт
Показывать по: 30, 60, 100
^ Наверх