+ 7 (499) 110-6245
+ 7 (495) 491-0120
пн-пт: 8.30 - 17.00
г. Москва, ул. Планетная, д. 29, к. 1, п. 1П
Корзина пуста
0 товар(а) 0,00 р.
Транзисторы выводные и для поверхностного монтажа
Сортировка:
Вид:
Наименование
Фото
Норма упак.
Склад (в пути)
Цена, руб.
Заказать
HGTG40N60A4 TO-247 600 В / 75 А IGBT транзистор
FAIRCHILD
Норма упак. - 0.03 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.185(0)
Цена - 498 337,28 руб./тыс.шт
HXY5N50D TO-252 500 В / 5 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
HXY
Норма упак. - 2.5 тыс.шт
Склад (в пути) - 1.95(0)
Цена - 15 283,36 руб./тыс.шт
HXY7N65D TO-252 (DPAK) 650 В / 7 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
HXY
Норма упак. - 2.5 тыс.шт
Склад (в пути) - 1.45(0)
Цена - 20 801,11 руб./тыс.шт
HXY80N06D TO-252 (DPAK) 60 В / 80 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
HXY
Норма упак. - 2.5 тыс.шт
Склад (в пути) - 1.375(0)
Цена - 22 036,24 руб./тыс.шт
IKA10N60TXKSA1 TO-220F 600 В / 11.7 А IGBT транзистор
INFINEON
Норма упак. - 0.05 тыс.шт
Склад (в пути) - 1.239(0)
Цена - 113 386,31 руб./тыс.шт
IKP40N65H5XKSA1 TO-220 650 В / А IGBT транзистор
Infineon Technologies
Норма упак. - 0.05 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.128(0)
Цена - 444 696,89 руб./тыс.шт
IKW25N120H3FKSA1 TO-247 1200 В / 50 А IGBT транзистор
Infineon Technologies
Норма упак. - 0.03 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.56(0)
Цена - 252 524,79 руб./тыс.шт
IKW40N65ES5XKSA1 TO-247 650 В / 79 А IGBT транзистор
Infineon Technologies
Норма упак. - 0.03 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.31(0)
Цена - 147 261,45 руб./тыс.шт
IKW50N65ES5XKSA1 TO-247 650 В / 80 А IGBT транзистор
Infineon Technologies
Норма упак. - 0.03 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.108(0)
Цена - 391 470,33 руб./тыс.шт
IPB010N06NATMA1 TO-263-7 (D2PA 60 В / 45 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
Infineon Technologies
Норма упак. - 0.03 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.284(0)
Цена - 584 854,89 руб./тыс.шт
IPB107N20N3G TO-263 (D2PAK) 200 В / 88 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
INFINEON
Норма упак. - 0.5 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.442(0)
Цена - 225 990,84 руб./тыс.шт
IPB107N20N3GATMA1 TO-263-3 220 В / 88 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
INFINEON
Норма упак. - 1 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.604(0)
Цена - 380 650,95 руб./тыс.шт
IPD122N10N3GATMA1 TO-247 100 В / 59 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
Infineon Technologies
Норма упак. - 1 тыс.шт
Склад (в пути) - 2.25(0)
Цена - 104 503,71 руб./тыс.шт
IPD70R360P7S DPAK(TO-252) 700 В / 12.5 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
INFINEON
Норма упак. - 2.5 тыс.шт
Склад (в пути) - 1.516(0)
Цена - 31 884,60 руб./тыс.шт
IPD70R900P7S DPAK(TO-252) 700 В / 6 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
INFINEON
Норма упак. - 0.1 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.861(0)
Цена - 26 222,93 руб./тыс.шт
IPD70R900P7SAUMA1 TO-252 (DPAK 700 В / 6 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
Infineon Technologies
Норма упак. - 2.5 тыс.шт
Склад (в пути) - 2.025(0)
Цена - 41 987,57 руб./тыс.шт
IRF1010E TO-220 60 В / 85 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
JSMSEMI
Норма упак. - 1 тыс.шт
Склад (в пути) - 1.09(0)
Цена - 39 982,27 руб./тыс.шт
IRF1018EPBF TO-220 60 В / 79 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
Infineon Technologies
Норма упак. - 0.1 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.679(0)
Цена - 61 178,21 руб./тыс.шт
IRF1404Z TO-220 40 В / 230 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
JSMSEMI
Норма упак. - 0.1 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.76(0)
Цена - 41 511,55 руб./тыс.шт
IRF1404ZPBF TO-220 40 В / 180 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
INFINEON
Норма упак. - 0.1 тыс.шт
Склад (в пути) - 3.14(0)
Цена - 101 286,47 руб./тыс.шт
Показывать по: 30, 60, 100
^ Наверх