+ 7 (499) 110-6245
+ 7 (495) 491-0120
пн-пт: 8.30 - 17.00
г. Москва, ул. Планетная, д. 29, к. 1
Корзина пуста
0 товар(а) 0,00 р.
Транзисторы выводные и для поверхностного монтажа
Сортировка:
Вид:
Наименование
Фото
Норма упак.
Склад (в пути)
Цена, руб.
Заказать
HFP4N60 TO-220 600 В / 4 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
SemiHow
Норма упак. - 0.2 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.47(0)
Цена - 18 060,52 руб./тыс.шт
HFS2N60(2N60) TO-220 600 В / 2 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
HXY
Норма упак. - 0.05 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.494(0)
Цена - 11 791,65 руб./тыс.шт
HGTG30N60A4 TO-247 600 В / 75 А IGBT транзистор
FAIRCHILD
Норма упак. - 0.03 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.665(0)
Цена - 454 266,28 руб./тыс.шт
HGTG40N60A4 TO-247 600 В / 75 А IGBT транзистор
FAIRCHILD
Норма упак. - 0.03 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.185(0)
Цена - 506 681,22 руб./тыс.шт
HXY5N50D TO-252 500 В / 5 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
HXY
Норма упак. - 2.5 тыс.шт
Склад (в пути) - 1.95(0)
Цена - 15 464,22 руб./тыс.шт
HXY7N65D TO-252 (DPAK) 650 В / 7 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
HXY
Норма упак. - 2.5 тыс.шт
Склад (в пути) - 1.45(0)
Цена - 21 047,02 руб./тыс.шт
HXY80N06D TO-252 (DPAK) 60 В / 80 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
HXY
Норма упак. - 2.5 тыс.шт
Склад (в пути) - 1.475(0)
Цена - 22 296,94 руб./тыс.шт
IKA10N60TXKSA1 TO-220F 600 В / 11.7 А IGBT транзистор
INFINEON
Норма упак. - 0.05 тыс.шт
Склад (в пути) - 1.249(0)
Цена - 114 727,92 руб./тыс.шт
IKP40N65H5XKSA1 TO-220 650 В / А IGBT транзистор
Infineon Technologies
Норма упак. - 0.05 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.128(0)
Цена - 449 959,11 руб./тыс.шт
IKW25N120H3FKSA1 TO-247 1200 В / 50 А IGBT транзистор
Infineon Technologies
Норма упак. - 0.03 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.675(0)
Цена - 255 513,23 руб./тыс.шт
IKW40N65ES5XKSA1 TO-247 650 В / 79 А IGBT транзистор
Infineon Technologies
Норма упак. - 0.03 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.32(0)
Цена - 149 004,09 руб./тыс.шт
IKW50N65ES5XKSA1 TO-247 650 В / 80 А IGBT транзистор
Infineon Technologies
Норма упак. - 0.03 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.118(0)
Цена - 396 102,90 руб./тыс.шт
IPB010N06NATMA1 TO-263-7 (D2PA 60 В / 45 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
Infineon Technologies
Норма упак. - 0.03 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.286(0)
Цена - 591 775,65 руб./тыс.шт
IPB107N20N3G TO-263 (D2PAK) 200 В / 88 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
INFINEON
Норма упак. - 0.5 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.452(0)
Цена - 228 665,25 руб./тыс.шт
IPB107N20N3GATMA1 TO-263-3 220 В / 88 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
INFINEON
Норма упак. - 1 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.604(0)
Цена - 385 155,43 руб./тыс.шт
IPD122N10N3GATMA1 TO-247 100 В / 59 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
Infineon Technologies
Норма упак. - 1 тыс.шт
Склад (в пути) - 2.26(0)
Цена - 105 740,54 руб./тыс.шт
IPD70R360P7S DPAK(TO-252) 700 В / 12.5 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
INFINEON
Норма упак. - 2.5 тыс.шт
Склад (в пути) - 1.382(0)
Цена - 32 418,46 руб./тыс.шт
IPD70R900P7S DPAK(TO-252) 700 В / 6 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
INFINEON
Норма упак. - 0.1 тыс.шт
Склад (в пути) - 1.021(0)
Цена - 26 661,99 руб./тыс.шт
IPD70R900P7SAUMA1 TO-252 (DPAK 700 В / 6 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
Infineon Technologies
Норма упак. - 2.5 тыс.шт
Склад (в пути) - 2.05(0)
Цена - 42 484,24 руб./тыс.шт
IRF1010E TO-220 60 В / 85 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
JSMSEMI
Норма упак. - 1 тыс.шт
Склад (в пути) - 1.11(0)
Цена - 40 455,01 руб./тыс.шт
Показывать по: 30, 60, 100
^ Наверх