+ 7 (499) 110-6245
+ 7 (495) 491-0120
пн-пт: 8.30 - 17.00
г. Москва, ул. Планетная, д. 29, к. 1, п. 1П
Корзина пуста
0 товар(а) 0,00 р.
Транзисторы выводные и для поверхностного монтажа
Сортировка:
Вид:
Наименование
Фото
Норма упак.
Склад (в пути)
Цена, руб.
Заказать
HFS2N60(2N60) TO-220 600 В / 2 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
HXY
Норма упак. - 0.05 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.494(0)
Цена - 10 912,48 руб./тыс.шт
HGTG30N60A4 TO-247 600 В / 75 А IGBT транзистор
FAIRCHILD
Норма упак. - 0.03 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.665(0)
Цена - 462 436,39 руб./тыс.шт
HGTG40N60A4 TO-247 600 В / 75 А IGBT транзистор
FAIRCHILD
Норма упак. - 0.03 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.185(0)
Цена - 515 793,91 руб./тыс.шт
HXY5N50D TO-252 500 В / 5 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
HXY
Норма упак. - 2.5 тыс.шт
Склад (в пути) - 1.95(0)
Цена - 14 576,09 руб./тыс.шт
HXY7N65D TO-252 (DPAK) 650 В / 7 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
HXY
Норма упак. - 2.5 тыс.шт
Склад (в пути) - 1.45(0)
Цена - 19 827,97 руб./тыс.шт
HXY80N06D TO-252 (DPAK) 60 В / 80 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
HXY
Норма упак. - 2.5 тыс.шт
Склад (в пути) - 1.3(0)
Цена - 21 006,52 руб./тыс.шт
IKA10N60TXKSA1 TO-220F 600 В / 11.7 А IGBT транзистор
INFINEON
Норма упак. - 0.05 тыс.шт
Склад (в пути) - 1.239(0)
Цена - 106 678,85 руб./тыс.шт
IKP40N65H5XKSA1 TO-220 650 В / А IGBT транзистор
Infineon Technologies
Норма упак. - 0.05 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.128(0)
Цена - 458 074,37 руб./тыс.шт
IKW25N120H3FKSA1 TO-247 1200 В / 50 А IGBT транзистор
Infineon Technologies
Норма упак. - 0.03 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.655(0)
Цена - 260 121,12 руб./тыс.шт
IKW40N65ES5XKSA1 TO-247 650 В / 79 А IGBT транзистор
Infineon Technologies
Норма упак. - 0.03 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.3(0)
Цена - 151 691,81 руб./тыс.шт
IKW50N65ES5XKSA1 TO-247 650 В / 80 А IGBT транзистор
Infineon Technologies
Норма упак. - 0.03 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.106(0)
Цена - 322 254,26 руб./тыс.шт
IPB010N06NATMA1 TO-263-7 (D2PA 60 В / 45 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
Infineon Technologies
Норма упак. - 0.03 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.284(0)
Цена - 602 448,37 руб./тыс.шт
IPB107N20N3G TO-263 (D2PAK) 200 В / 88 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
INFINEON
Норма упак. - 0.5 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.43(0)
Цена - 212 622,60 руб./тыс.шт
IPB107N20N3GATMA1 TO-263-3 220 В / 88 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
INFINEON
Норма упак. - 1 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.604(0)
Цена - 313 361,59 руб./тыс.шт
IPD122N10N3GATMA1 TO-247 100 В / 59 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
Infineon Technologies
Норма упак. - 1 тыс.шт
Склад (в пути) - 1.25(0)
Цена - 86 022,53 руб./тыс.шт
IPD70R900P7S DPAK(TO-252) 700 В / 6 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
INFINEON
Норма упак. - 0.1 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.794(0)
Цена - 24 674,10 руб./тыс.шт
IPD70R900P7SAUMA1 TO-252 (DPAK 700 В / 6 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
Infineon Technologies
Норма упак. - 2.5 тыс.шт
Склад (в пути) - 2.025(0)
Цена - 34 567,74 руб./тыс.шт
IRF1010E TO-220 60 В / 85 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
JSMSEMI
Норма упак. - 1 тыс.шт
Склад (в пути) - 1.045(0)
Цена - 41 184,67 руб./тыс.шт
IRF1018EPBF TO-220 60 В / 79 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
Infineon Technologies
Норма упак. - 0.1 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.679(0)
Цена - 57 564,79 руб./тыс.шт
IRF1404Z TO-220 40 В / 230 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
JSMSEMI
Норма упак. - 0.1 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.55(0)
Цена - 39 585,99 руб./тыс.шт
Показывать по: 30, 60, 100
^ Наверх