+ 7 (499) 110-6245
+ 7 (495) 491-0120
пн-пт: 8.30 - 17.00
г. Москва, ул. Планетная, д. 29
Корзина пуста
0 товар(а) 0,00 р.
Транзисторы для поверхностного монтажа (SMD)
Сортировка:
Вид:
Наименование
Фото
Норма упак.
Склад (в пути)
Цена, руб.
Заказать
ES138K SOT-23 60 В / 0.4 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
Elecsuper
Норма упак. - 3 тыс.шт
Склад (в пути) - 11(0)
Цена - 855,82 руб./тыс.шт
ES15N10G TO-252 (DPAK) 100 В / 12 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
Elecsuper
Норма упак. - 2.5 тыс.шт
Склад (в пути) - 2(0)
Цена - 8 129,96 руб./тыс.шт
ESNQ06R10 TO-252 (DPAK) 60 В / 58 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
Elecsuper
Норма упак. - 2.5 тыс.шт
Склад (в пути) - 2.4(0)
Цена - 12 823,71 руб./тыс.шт
FDN338P SOT-23 20 В / 1.6 А полевой (MOSFET, P-канал) транзистор
JSMSEMI
Норма упак. - 3 тыс.шт
Склад (в пути) - 8.5(0)
Цена - 4 728,85 руб./тыс.шт
FDS9435A-NL SO8-150 30 В / 4.1 А полевой (MOSFET, P-канал) транзистор
VBsemi
Норма упак. - 2.5 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.239(0)
Цена - 20 746,33 руб./тыс.шт
FQB33N10LTM TO-263-3 100 В / 33 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
ON-Semiconductor
Норма упак. - 0.005 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.017(0)
Цена - 368 180,74 руб./тыс.шт
FZT688BTA SOT-223 12 В / 4 А биполярный (NPN) транзистор
Diodes Inc
Норма упак. - 1 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.4(0)
Цена - 37 774,05 руб./тыс.шт
GS66504B-E01-MR GaN 650 В / 15 А полевой (MOSFET) транзистор
GaN Systems
Норма упак. - 0.002 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.042(0)
Цена - 4 644 806,12 руб./тыс.шт
GT55N06D5 DFN5X6-8L 60 В / 53 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
GOFORD
Норма упак. - 0.2 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.043(0)
Цена - 27 031,84 руб./тыс.шт
H11G1SM SMDIP6 100 В / 0.06 А транзистор
ON-Semiconductor
Норма упак. - 0.01 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.01(0)
Цена - 164 448,51 руб./тыс.шт
HXY5N50D TO-252 500 В / 5 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
HXY
Норма упак. - 2.5 тыс.шт
Склад (в пути) - 1.95(0)
Цена - 14 940,30 руб./тыс.шт
HXY7N65D TO-252 (DPAK) 650 В / 7 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
HXY
Норма упак. - 2.5 тыс.шт
Склад (в пути) - 1.45(0)
Цена - 20 333,81 руб./тыс.шт
HXY80N06D TO-252 (DPAK) 60 В / 80 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
HXY
Норма упак. - 2.5 тыс.шт
Склад (в пути) - 1.625(0)
Цена - 21 538,43 руб./тыс.шт
IPB010N06NATMA1 TO-263-7 (D2PA 60 В / 45 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
Infineon Technologies
Норма упак. - 0.03 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.296(0)
Цена - 571 681,34 руб./тыс.шт
IPB107N20N3G TO-263 (D2PAK) 200 В / 88 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
INFINEON
Норма упак. - 0.5 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.452(0)
Цена - 220 899,27 руб./тыс.шт
IPB107N20N3GATMA1 TO-263-3 220 В / 88 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
INFINEON
Норма упак. - 1 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.604(0)
Цена - 372 072,13 руб./тыс.шт
IPD122N10N3GATMA1 TO-247 100 В / 59 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
Infineon Technologies
Норма упак. - 1 тыс.шт
Склад (в пути) - 2.27(0)
Цена - 102 151,75 руб./тыс.шт
IPD70R900P7SAUMA1 TO-252 (DPAK 700 В / 6 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
Infineon Technologies
Норма упак. - 2.5 тыс.шт
Склад (в пути) - 2.075(0)
Цена - 41 049,90 руб./тыс.шт
IRF3205S TO-263 (D2PAK) 55 В / 110 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
JSMSEMI
Норма упак. - 0.8 тыс.шт
Склад (в пути) - 4.41(0)
Цена - 35 713,08 руб./тыс.шт
IRF3205STRLPBF TO-263-3 (D2PAK) 55 В / 110 А полевой (MOSFET, N-канал) транзистор
INFINEON
Норма упак. - 0.8 тыс.шт
Склад (в пути) - 0.75(0)
Цена - 50 665,25 руб./тыс.шт
Показывать по: 30, 60, 100
^ Наверх